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シリコンカーバイド（SiC）ウエハは、次世代パワー半導体および高周波デバイスの中核材料として、世界的に注目を集めています。特に北米市場では、4インチ半絶縁型SiCウエハの需要が急速に拡大しており、主要なSiCウエハサプライヤーにとって重要な成長機会となっています。